STP10NM50N
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
STP10NM50N datasheet
-
МаркировкаSTP10NM50N
-
ПроизводительSTMicroelectronics
-
ОписаниеSTMicroelectronics STP10NM50N Configuration: Single Continuous Drain Current: 7 A Current - Continuous Drain (id) @ 25?° C: 7A Drain To Source Voltage (vdss): 500V Drain-source Breakdown Voltage: 500 V Fet Feature: Standard Fet Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide Gate Charge (qg) @ Vgs: 17nC @ 10V Input Capacitance (ciss) @ Vds: 450pF @ 50V Lead Free Status / Rohs Status: Lead free / RoHS Compliant Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: Through Hole Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 (Formed Leads) Power - Max: 70W Power Dissipation: 70 W Rds On (max) @ Id, Vgs: 630 mOhm @ 3.5A, 10V Resistance Drain-source Rds (on): 0.63 Ohms Series: MDmesh?„? Transistor Polarity: N-Channel Vgs(th) (max) @ Id: 4V @ 250?µA Product Category: MOSFET RoHS: yes Drain-Source Breakdown Voltage: 500 V Resistance Drain-Source RDS (on): 0.63 Ohms Other Names: 497-10770-5
-
Количество страниц18 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
13.06.2024
12.06.2024
Сотрудничество двух компаний Sphere Entertainment Co. и STMicroelectronics позволило создать крупнейший в мире датчик изображения для системы камер Sphere's Big Sky. Big Sky — это новейшая система камер сверхвысокого разрешения, используемая для съемки контента для Sphere, развлекательного средства нового поколения в Лас-Вегасе.
' width="293" height="218" /> Крупнейший датчик изображения для системы камер Big Sky11.06.2024